小米集团参谋长潘九堂称张峰为小米的救火队长，特高卢伟冰也在社交平台上对张峰的离职表示了祝福。

压外研提图4 Sb掺杂的SnSe微晶（a）低倍SEM照片观察其表面宏观缺陷。其高功率因子来自于通过有效的铜掺杂而实现的高空穴载流子浓度（1.95×1019cm-3），送通速西送规而其低热导率则源于铜掺杂所导致的密集晶体缺陷，送通速西送规包括强烈的晶格畸变，位错，微观晶体弯曲，以及明显增加的晶界密度，这些晶体缺陷能够有效地散射不同频率的声子，进而有效降低热导率。

毕业后曾就职于清华大学摩擦学国家重点实验室深圳微纳研究室进行科研工作，道规作为骨干完成973，道规国家自然科学基金等多项国家及省市级科研项目，同时多次参加国内外学术会议并作出汇报。该工作填补了硒化锡基块体热电材料中铜掺杂机理的空白，北电并为进一步提高多晶硒化锡的热电性能提供了新的解决方案。力外陈志刚教授师从成会明院士和逯高清院士。

破亿相关成果发表于国际顶级能源期刊AdvancedEnergyMaterials（Adv. EnergyMater.(2019):1803242.）。该工作填补了硒化锡基块体热电材料中铜掺杂机理的空白，特高并为进一步提高多晶硒化锡的热电性能提供了新的思路。

因此，压外研提与少Sn空位的材料相比，其在中低温区的热电优值得到了显著提升。

攻读博士期间曾获得中国留学基金委颁布的国家优秀自费留学生奖学金，送通速西送规并前往中国科学院上海硅酸盐研究所陈立东教授课题组进行学术访问及样品测试。近期，道规美国橡树岭国家实验室的J.A.Hachtel和J.C.Idrobo（共同通讯作者）等人利用扫描透射电子显微学（STEM）的方法在氨基酸中实现了具有空间和谱学识别能力的位点特异性（site-specific）同位素标记。

弱拓扑相可以被看作是三维堆积方向上的量子自旋霍尔（QSH）绝缘体，北电将为高度定向的和密集的自旋电流技术奠定基础。力外这一算法是通过研究占据态对称性与拓扑不变量之间的关系而建立的。

破亿更重要的是作者预期他们的方法将有助于在亚埃分辨率下研究复杂的氧化还原反应和充电相关的现象。特高Z2型拓扑绝缘体是一种内部绝缘但允许电子在其表面流动的材料。